新型隔离型LDNMOS器件及其控制电路

新型隔离型LDNMOS器件及其控制电路

专利授权发明专利山东省

申请进度

  1. 申请
  2. 授权
  3. 预计到期未提供

基本信息

新型隔离型LDNMOS器件及其控制电路的公开专利资料
申请号CN202110748786.5申请日2021-07-02
授权公告号CN113540250B授权公告日2024-08-06
专利类型发明专利受理局—
当前法律状态待核验授权记录专利授权
申请(专利权)人山东汉旗科技有限公司发明人/设计人刘陵刚
地址山东省枣庄市峄城经济开发区科达西路发明人:刘陵刚专利号:ZL202110748786.5邮编277000
代理机构深圳市共赋知识产权代理事务所(普通合伙)代理人—
返回案例列表